具有2D材料中介层的外延基板
授权
摘要
本实用新型公开了具有2D材料中介层的外延基板，在多晶基板表面，借助范德华外延生长2D材料超薄中介层，2D材料超薄中介层的表层晶格常数及基底热膨胀系数与AlGaN或GaN高度匹配，2D材料超薄中介层为单层结构或者复合层结构，2D材料超薄中介层上借助范德华外延生长AlGaN或单晶GaN外延层。本实用新型提供可行技术满足在多晶基底上进行单晶层外延，可以制作大尺寸(6吋及6吋以上)基底且制作成本远低于相关单晶芯片，同时解决现有UVC LED和GaN系镭射二极管外延基板问题并能显着降低工序成本，有效提升AlGaN宽能隙光电及电子组件以及GaN系镭射二极管的组件效能。
基本信息
专利标题 ：
具有2D材料中介层的外延基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020012738.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-03
授权号 ：
CN210984756U
授权日 ：
2020-07-10
发明人 ：
王晓靁施能泰宋高梅
申请人 ：
王晓靁
申请人地址 ：
中国台湾台南市东区新东里24邻裕农路27号之1七楼之2
代理机构 ：
厦门市精诚新创知识产权代理有限公司
代理人 ：
李宁
优先权 ：
CN202020012738.0
主分类号 ：
H01L33/32
IPC分类号 ：
H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2020-07-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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