具有2D材料中间层的硅上氮化镓GaN-on-Si外延基板
授权
摘要
本实用新型公开了具有2D材料中间层的硅上氮化镓GaN‑on‑Si外延基板，在硅晶圆基板上具有多晶向的2D材料超薄中介层，2D材料超薄中介层至少具有一顶层；顶层晶格常数与AlN、AlGaN或GaN高度匹配；2D材料超薄中介层顶层上借助范德华外延生长有GaN单晶外延层，或者，2D材料超薄中介层顶层上借助范德华外延生长有AlGaN或AlN成核辅助层，再在成核辅助层上具有GaN单晶外延层。本实用新型有效克服异质外延晶格不匹配导致氮化镓层缺陷质量问题；缓解部分因热膨胀系数不同导致的热应力问题，有利于用来进行成长高质量GaN外延层，以进行GaN系等宽能隙光电及半导体组件制作。
基本信息
专利标题 ：
具有2D材料中间层的硅上氮化镓GaN-on-Si外延基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022460792.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-29
授权号 ：
CN212967721U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
王晓靁施能泰宋高梅
申请人 ：
王晓靁
申请人地址 ：
中国台湾桃园市芦竹区吉林路132巷28号14楼
代理机构 ：
厦门市精诚新创知识产权代理有限公司
代理人 ：
李宁
优先权 ：
CN202022460792.4
主分类号 ：
H01L31/0304
IPC分类号 ：
H01L31/0304 H01L31/028 H01L31/0216
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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