具有2D材料中介层的氮化镓外延基板
授权
摘要
本实用新型公开了具有2D材料中介层的氮化镓外延基板，包含一多晶AlN基板；多晶AlN基板上有SiO2接合层；SiO2接合层上有c面蓝宝石贴合层；c面蓝宝石贴合层上成长多晶向2D材料中介层，多晶向2D材料中介层至少有一顶层，顶层晶格常数与AlN、AlGaN或GaN高度匹配；多晶向2D材料中介层上借助范德华外延生长GaN单晶外延层，或，借助范德华外延生长AlN或AlGaN成核辅助层，再在AlN或AlGaN成核辅助层上有GaN单晶外延层。本实用新型避免了2D材料中介层移转工序及可能的质量影响，有效克服异质外延晶格不匹配导致氮化镓层缺陷质量问题，可以缓解部分因热膨胀系数不同导致的热应力问题；有利于用来进行包含成长高质量AlN、AlGaN以及GaN外延层，以进行GaN系等宽能隙光电及半导体组件制作。
基本信息
专利标题 ：
具有2D材料中介层的氮化镓外延基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022496981.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-02
授权号 ：
CN212967718U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
王晓靁施能泰宋高梅
申请人 ：
王晓靁
申请人地址 ：
中国台湾桃园市芦竹区吉林路132巷28号14楼
代理机构 ：
厦门市精诚新创知识产权代理有限公司
代理人 ：
李宁
优先权 ：
CN202022496981.7
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/0304 H01L31/0236
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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