功率半导体器件及其外壳

授权

摘要

本实用新型实施例提供一种功率半导体器件及其外壳，所述外壳包括壳主体以及自壳主体一侧凹陷形成且用于对应容纳与外部电极对接的接线端子和螺母的安装槽，所述安装槽相对两侧壁对应于螺母安置位置处分别成型有向安装槽内部凸出的卡条，两卡条之间的相对距离小于所述螺母的相对两侧壁之间的距离而能从相对两侧弹性抵压定位于所述安装槽内的螺母的相对两侧壁。本实用新型实施例通过在功率半导体器件外壳连接部的安装槽内壁上设置卡条，能够将安装与安装槽内的螺母进行良好的固定，并且结构简单，能适用于多种规格的功率半导体器件外壳。

基本信息

专利标题：

功率半导体器件及其外壳

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020116592.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-01-17

授权号：

CN211182180U

授权日：

2020-08-04

发明人：

张杰夫宋贵波邓海明夏文锦

申请人：

深圳市立德电控科技有限公司

申请人地址：

广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙工业城宝龙六路新中桥工业园E栋5楼

代理机构：

深圳市翼智博知识产权事务所(普通合伙)

代理人：

黄莉

优先权：

CN202020116592.4

主分类号：

H01L23/04

IPC分类号：

H01L23/04