一种倒装深紫外发光二极管
授权
摘要
一种倒装深紫外发光二极管，具有高铝组分的半导层，半导体层上设置有N型电极和P型电极，N型电极依次包括与高铝组分半导体层接触的第一导电金属层，用于保护第一金属层和补充N型电极高度的第二导电金属层，用于对接外接电路的第三导电金属层；P型电极具有所述第三导电金属层，N型电极和P型电极的第三导电金属层设置在同一水平面上，用以解决紫外发光二极管的封装电极空洞问题，降低封装后芯片与基板的空洞率，提升产品散热能力，以降低光衰减和提升可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种倒装深紫外发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020193333.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-21
授权号 ：
CN211789075U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
朱秀山臧雅姝彭康伟林素慧
申请人 ：
厦门三安光电有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇镇民安大道841-899号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020193333.1
主分类号 ：
H01L33/38
IPC分类号 ：
H01L33/38 H01L33/54 H01L33/64
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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