本实用新型涉及晶体生长设备领域，提供了一种单晶生长炉，包括炉本体和提拉控制机构，炉本体包括耐高压外壳、保温盒体，保温盒体内具有晶体生长内腔，耐高压外壳套设于保温盒体外，耐高压外壳和保温盒体之间以及保温盒体内部充有高压气体，高压气体连通有耐高压气体进气管；提拉控制机构包括穿过耐高压外壳和保温盒体用于与位于晶体生长内腔内的籽晶连接的提拉杆。该单晶生长炉可有效抑制熔体挥发，提高晶体生长质量，适合用于生长具有高挥发性材料以及易与空气或空气中的水蒸气发生反应的材料，如金属、合金等化合物。