存储器制作装置
授权
摘要
本公开实施例公开了一种存储器制作装置，包括：容腔；托盘，位于所述容腔内；一个或多个第一类喷嘴，位于所述容腔内；一个或多个第二类喷嘴，位于所述容腔内；其中，所述第一类喷嘴的喷气口与所述托盘的中心之间的第一距离为第一距离，所述第二类喷嘴的喷气口与所述托盘的中心之间的距离为第二距离；所述第二距离为一数值，所述第二距离小于所述第一距离；或者，所述第二类喷嘴为活动喷嘴，使得所述第二距离为若干个数值构成的组合或为数值范围，所述第二距离中的最小值小于所述第一距离；所述第一类喷嘴和所述第二类喷嘴，用于喷出第一气体。
基本信息
专利标题 ：
存储器制作装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020246978.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-03
授权号 ：
CN212426177U
授权日 ：
2021-01-29
发明人 ：
涂飞飞王新胜王雄禹
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘恋
优先权 ：
CN202020246978.7
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/50 H01L21/67
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2021-01-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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