一种用于硅晶片清洗后干燥、去污的装置
授权
摘要
本实用新型提供一种用于硅晶片清洗后干燥、去污的装置。本实用新型包括：箱体，箱体内部设有容纳待处理硅晶片的空间，箱体包括物料进出口，所述箱体外壁布置多个微波源，其用于挥发掉硅晶片表面的水和污染残留，所述箱体设有进风口和出风口，所述进风口外部连接有进风管道和/或所述出风口外连接有出风管道，进风管道和/或出风管道与风机相连，使得进风口与出风口之间形成用于干燥硅晶片的空气流道。本实用新型能够提高干燥效率，降低能耗，在干燥过程中，利用微波能，蒸发硅片表面的水分，同时分解清洗剂残留，达到干燥、去污的目的，提高产品合格率，用较少的设备即可配合清洗流程的节拍，减少设备资金投入，减少占地面积和维护成本。
基本信息
专利标题 ：
一种用于硅晶片清洗后干燥、去污的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020248635.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-03
授权号 ：
CN211320059U
授权日 ：
2020-08-21
发明人 ：
张小飞张纪尧
申请人 ：
大连威凯特科技有限公司
申请人地址 ：
辽宁省大连市甘井子区营城子镇工业园区营日路40号-1、40号-2、40号-3
代理机构 ：
大连东方专利代理有限责任公司
代理人 ：
徐华燊
优先权 ：
CN202020248635.4
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-08-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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