基于GaN材料的半导体器件材料层结构以及GaN器件
授权
摘要
本实用新型提供一种基于GaN材料的半导体器件材料层结构，其包括衬底以及在衬底上依次形成的形核层、过渡层、超结晶格层、第一二维电子气约束层、通道层、阻挡层、实时沉积于阻挡层上的第一钝化层、第二二维电子气约束层、实时沉积于所述第二二维电子气约束层上的第二钝化层、第三钝化层，于所述通道层以及所述阻挡层之间形成二维电子气，所述第一二维电子气约束层的禁带宽度大于所述通道层的禁带宽度，所述第二二维电子气约束层的禁带宽度大于所述阻挡层的禁带宽度，所述第三钝化层为低压等离子SiNx层。本实用新型从多方面来充分降低GaN器件的动态导通电阻，特别是高温动态导通电阻，提高GaN器件的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
基于GaN材料的半导体器件材料层结构以及GaN器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020475491.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-02
授权号 ：
CN211320109U
授权日 ：
2020-08-21
发明人 ：
刘春利
申请人 ：
深圳镓华微电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区丽山路10号桑泰大厦903室
代理机构 ：
深圳市鼎智专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
唐玲玲
优先权 ：
CN202020475491.6
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/10
法律状态
2020-08-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
