用于化学沉积的上部电极
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于化学沉积的上部电极，包括呈板状结构的本体，该本体上具有均匀分布的气孔，所述气孔贯穿本体的厚度方向两侧，所述气孔包括从上至下同轴设置的保压段、增压段和释放段，其中保压段和增压段均呈圆柱状，且保压段直径大于增压段直径，所述增压段呈下大上小的圆台状结构。通过改变上部电极气孔形状和分布方式，同时优化气孔各部分尺寸，最终达到增加气孔缓冲气量，确保各出气口端出气充足且均匀，同时保证气体扩散覆盖面积，提高产品表面膜质均匀性的目的，改善产品良品率。
基本信息
专利标题 ：
用于化学沉积的上部电极
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020606373.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-21
授权号 ：
CN211972442U
授权日 ：
2020-11-20
发明人 ：
李东一梁君
申请人 ：
重庆臻宝实业有限公司
申请人地址 ：
重庆市九龙坡区西彭镇森迪大道66号附72号
代理机构 ：
重庆为信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周云涛
优先权 ：
CN202020606373.4
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2020-11-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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