本实用新型提供了一种碳化硅晶片加工用盘及单面研磨机，碳化硅晶片加工用盘的盘面上开设有深沟槽和浅沟槽；深沟槽和浅沟槽间隔设置，且深沟槽的深度大于浅沟槽的深度，深沟槽至少一端延伸出碳化硅晶片加工用盘，浅沟槽用于容纳研磨液，深沟槽用于将研磨液及研磨下的碎屑排出碳化硅晶片加工用盘。使用时，将碳化硅晶片加工用盘安装在单面研磨机上对碳化硅晶片进行单面研磨，研磨液分别进入浅沟槽和深沟槽内，由于深沟槽和浅沟槽间隔设置，因此，进入浅沟槽内的碎屑能够随着研磨液流入深沟槽内，并随着深沟槽的出口将碎屑排出，避免了碎屑划伤晶片，因此，提高了晶片表面有效的外延面积，减少了碳化硅表面的缺陷，提升了碳化硅晶片的成品率。