一种半导体晶圆镀膜技术
授权
摘要
本实用新型提供一种半导体晶圆镀膜技术，涉及半导体晶圆技术领域。该半导体晶圆镀膜技术，包括晶圆本体，所述晶圆本体的顶面由下到上依次设有二氧化硅膜、电阻膜、碳膜、ITO镀膜、透光膜、防水膜和抗污膜。该半导体晶圆镀膜技术，通过设置透光膜、防水膜和抗污膜，将透光膜提升晶圆本体的透光率，将防水膜提升晶圆本体的防水性能，将抗污膜提升晶圆本体的抗油污腐蚀污染性能，解决了传统的晶圆在进行二氧化硅镀膜后其外表面硬度低，并且耐脏污性能差，不能满足需求的问题，通过设置固定框，对晶圆本体进行固定，便于晶圆本体进行封装处理，通过设置氧化铟锡，提升电阻率和透光率，通过设置氟化物，提升晶圆本体的抗氧化和抗老化性能。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体晶圆镀膜技术
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020800489.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-14
授权号 ：
CN211700194U
授权日 ：
2020-10-16
发明人 ：
张磊张松郭锐
申请人 ：
河南省三石精密光学有限公司
申请人地址 ：
河南省商丘市宁陵县小吕集村东头03号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020800489.1
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L23/29
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2020-10-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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