一种凸点式封装搭桥功率器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种凸点式封装搭桥功率器件，其中装片基座、搭桥件、第一引脚焊接区、第二引脚焊接区、若干个第一引脚和若干个第二引脚，装片基座包括底座和装片工位，首先将待加工芯片本身安放入装片工位后，芯片本身与装片工位的顶部电气连接，芯片本身通过搭桥件与第一引脚焊接区设有第一引脚进行连接形成电气连接，芯片本身的栅极G通过引线与第三引脚20连接形成电气连接，由于搭桥件的输出面设有凸点式焊头，从而完成高温回流焊接的工作。有益效果是：增大了焊接处的接触面积，降低器件热阻，优化器件导电导热结构上使用要求。并且提高了生产效率、接触面大、热阻Rdson数值小、改善气泡空洞及产品质量的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种凸点式封装搭桥功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020823558.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-18
授权号 ：
CN212161756U
授权日 ：
2020-12-15
发明人 ：
袁凤江雒继军张国光林品旺江超王光明陈逸晞
申请人 ：
佛山市蓝箭电子股份有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市禅城区古新路45号
代理机构 ：
佛山市禾才知识产权代理有限公司
代理人 ：
梁永健
优先权 ：
CN202020823558.0
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L21/48 H01L23/31 H01L23/498
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2020-12-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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