加热台
授权
摘要
本实用新型涉及一种加热台，包括基座，所述基座设有安装面，所述安装面用于承载基片，且所述基座为由MAX相陶瓷材料制成的基座；加热组件，所述加热组件位于所述安装面的背面下方，所述加热组件用于加热所述基座；测温组件，所述测温组件连于所述基座并用于直接测量所述基座的温度。本实用新型的加热台具有优异的热导率、耐高温和抗氧化效果，适用于磁控溅射、脉冲激光沉积、分子束外延、物理蒸镀等真空薄膜生长系统中。
基本信息
专利标题 ：
加热台
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020835160.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-19
授权号 ：
CN212365927U
授权日 ：
2021-01-15
发明人 ：
宋洋曹彦伟张如意
申请人 ：
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请人地址 ：
浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
代理机构 ：
杭州华进联浙知识产权代理有限公司
代理人 ：
李丽华
优先权 ：
CN202020835160.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-01-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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