一种基于WB芯片与FC芯片共存的双面挖腔陶瓷封装结构
授权
摘要
本实用新型的一种基于WB芯片与FC芯片共存的双面挖腔陶瓷封装结构，包括陶瓷基板、WB芯片和FC芯片，陶瓷基板上侧面向内凹陷形成顶面腔一和顶面腔二，陶瓷基板的下侧面向内凹陷形成底面腔，顶面腔一和顶面腔二分别贴合有WB芯片和FC芯片，底面腔内贴合有WB芯片或FC芯片。陶瓷封装结构通过上下侧面分别挖腔形成顶面腔一、顶面腔二和底面腔，并在顶面腔一、顶面腔二和底面腔内放置WB芯片或FC芯片，使得陶瓷基板的封装空间变大，提高了陶瓷封装的空间利用率且降低了陶瓷封装的外形尺寸。
基本信息
专利标题 ：
一种基于WB芯片与FC芯片共存的双面挖腔陶瓷封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020913858.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-27
授权号 ：
CN211828729U
授权日 ：
2020-10-30
发明人 ：
胡孝伟代文亮伊海伦
申请人 ：
上海芯波电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区盛夏路608号2号楼210-211室
代理机构 ：
上海乐泓专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王瑞
优先权 ：
CN202020913858.8
主分类号 ：
H01L23/057
IPC分类号 ：
H01L23/057 H01L23/10 H01L25/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/04
按外形区分的
H01L23/053
中空容器，并有用于半导体本体安装架的绝缘基座
H01L23/057
引线平行于基座的
法律状态
2020-10-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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