一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装结构

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摘要

本实用新型的一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装结构，包括陶瓷基板和WB芯片，陶瓷基板两侧面分别向内凹陷形成上挖腔和下挖腔，上挖腔和下挖腔内均贴合有WB芯片，陶瓷基板上侧面覆盖有上盖板，陶瓷基板下侧面覆盖有下盖板，上盖板通过可伐环与陶瓷基板上侧面的焊接层固定连接，下盖板与陶瓷基板下侧面的焊接层固定连接。通过在陶瓷基板两侧面分别设置上挖腔和下挖腔，使得陶瓷基板的空间得到增大，且上挖腔和下挖腔内均设有WB芯片，使得陶瓷基板的封装空间变大，提高了陶瓷封装的空间利用率且降低了陶瓷封装的外形尺寸。

基本信息

专利标题：

一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020913883.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-05-27

授权号：

CN211828730U

授权日：

2020-10-30

发明人：

胡孝伟代文亮伊海伦

申请人：

上海芯波电子科技有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区盛夏路608号2号楼210-211室

代理机构：

上海乐泓专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

王瑞

优先权：

CN202020913883.6

主分类号：

H01L23/057

IPC分类号：

H01L23/057 H01L23/10 H01L25/065