一种多层堆叠的LDMOS功率器件
授权
摘要
本实用新型公开一种多层堆叠的LDMOS功率器件，利用两个以上MOS器件单元堆叠所形成的双漂移区，而使得下方漂移区的顶部引入P重掺杂区和N重掺杂区，这样不仅增加一条新的电流路径，提升了开态时的工作电流；而且降低了下方漂移区栅漏两极的电场峰值，同时在器件内部引入了两个新的电场峰值，优化了器件的内部电场强度，改善器件内部的电场分布，从而提高了器件的耐压特性。此外，还通过在双漂移区之间引入轻掺杂的交叠浮空层辅助耗尽，以有效增加双漂移区的掺杂浓度，进一步改善耐压特性。再者，通过上部漂移区的底部引入重掺杂的单元内埋层和在双漂移区之间的轻掺杂区中引入重掺杂的单元内浮空层来进一步改善器件的耐压特性。
基本信息
专利标题 ：
一种多层堆叠的LDMOS功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020920019.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-27
授权号 ：
CN211907438U
授权日 ：
2020-11-10
发明人 ：
李琦党天宝李海鸥张法碧陈永和肖功利傅涛孙堂友黄洪姜焱彬王磊
申请人 ：
桂林电子科技大学
申请人地址 ：
广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
代理机构 ：
桂林市持衡专利商标事务所有限公司
代理人 ：
陈跃琳
优先权 ：
CN202020920019.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/10 H01L29/78
法律状态
2020-11-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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