一种消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构，属于半导体封装技术领域。本实用新型的消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构，包括：晶圆，晶圆的表面具有焊盘；钝化层，设于晶圆有焊盘一侧的表面上方及焊盘的表面上方，钝化层与焊盘对应的位置处形成有用于暴露焊盘的开口；第一导电凸块，位于开口内，第一导电凸块用于填充开口；第二导电凸块，位于第一导电凸块的上方且与第一导电凸块电连接，第二导电凸块用于实现与外部的电连接。本实用新型通过第一导电凸块填充不规则开口，再进行电镀形成第二导电凸块，能够有效地消除在不规则开口内电镀产生的电镀空洞，解决了现有技术中电镀后凸块呈现电镀空洞的问题，提高了芯片封装产品的质量。
基本信息
专利标题 ：
一种消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021144752.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-18
授权号 ：
CN212783437U
授权日 ：
2021-03-23
发明人 ：
方梁洪彭祎任超李春阳刘凤刘明明
申请人 ：
宁波芯健半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市杭州湾新区庵东工业园区华兴地块中横路18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
郝传鑫
优先权 ：
CN202021144752.2
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2021-03-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
