一种晶圆级芯片封装工艺

实质审查的生效

摘要

本发明提供了一种晶圆级芯片封装工艺，通过片环在晶圆背面贴一体膜，所述一体膜包括背胶膜和划片膜；透膜打印，透过划片膜在背胶膜上进行激光打印；高压烘烤，消除在透膜打印过程中一体膜内产生的气泡。本发明将一体膜直接贴到了晶圆和片环上，晶圆和片环通过一体膜形成一个整体结构，磨片后的所有机台都能通过机械手臂自动抓取片环，无需接触晶圆，解决了晶圆级封装超薄片及翘曲片的全自动作业问题，同时降低了晶圆级超薄片及翘曲片在运输过程中和作业过程中的隐裂、碎片风险；此外，进行了高压烘烤，一体膜内的气泡在高压状态下从划片膜与背胶膜之间的间隙中排出，消除了气泡。

基本信息

专利标题：

一种晶圆级芯片封装工艺

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114551248A

申请号：

CN202210140158.3

公开（公告）日：

2022-05-27

申请日：

2022-02-16

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈小响杜阳

申请人：

江苏芯德半导体科技有限公司

申请人地址：

江苏省南京市浦口区浦口经济开发区林春路8号

代理机构：

南京华恒专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

裴素艳

优先权：

CN202210140158.3

主分类号：

H01L21/50

IPC分类号：

H01L21/50 H01L21/56 H01L21/66 B41M5/26

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/50

应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的

法律状态

2022-06-14 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20220216

2022-05-27 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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