一种全自动单晶炉演示装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种全自动单晶炉演示装置，包括底炉箱、冷却层和炉盖，所述底炉箱的内部设置有坩埚提升旋转机构，且坩埚提升旋转机构的上部分布有下炉筒，所述炉盖的上部分布有隔离阀室，且隔离阀室的中部外壁设置有圆门，所述圆门的中部分布有圆形观察窗，所述隔离阀室的顶部连接有提拉头，且提拉头的上端分布有旋转接头。该全自动单晶炉演示装置基于3D打印可以做到定制生产，并且从制作到生产过程中可以减少成本以及通过三维设计从而减少定制时的复杂过程，且零件少，3D打印过程中支撑少即耗材少，并且基于3D打印可以做到大批量生产，并且在教学上、比赛上、研发上能大量的运用上，基于3D打印，成本低，快速成型。
基本信息
专利标题 ：
一种全自动单晶炉演示装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021229570.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-29
授权号 ：
CN212505152U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
门正兴罗雁曦陈国华曾庆嘉方蔺付瑞杨康林
申请人 ：
成都航空职业技术学院
申请人地址 ：
四川省成都市龙泉驿区车城东七路699号
代理机构 ：
成都正华专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李蕊
优先权 ：
CN202021229570.5
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 G09B25/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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