一种用于物理气相沉积反应室
授权
摘要
本实用新型涉及气相沉积技术领域，具体地说，涉及一种用于物理气相沉积反应室，包括反应箱体，反应箱体的顶壁靠近左侧处设有泄压装置，泄压装置包括压力箱，压力箱的内部设有压板，压板的内部靠近四个拐角处均开设有导向孔，且导向孔的内部滑动插接有导向柱，导向柱的外部位于压板的上方位置处套接有弹簧；反应箱体的顶壁靠近左侧处设有温度监测装置，温度监测装置包括底座，底座的内部为中空腔体，底座的底部内壁上通过螺栓固定安装有温度传感器，底座的上方设有温度显示屏，该用于物理气相沉积反应室，当反应室内部的气压过高时可自动进行泄压，避免反应室内部的气压过高损坏反应室。
基本信息
专利标题 ：
一种用于物理气相沉积反应室
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021243353.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-30
授权号 ：
CN212894936U
授权日 ：
2021-04-06
发明人 ：
刘得志
申请人 ：
东莞市世平光电科技有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市黄江镇长龙工业区新风街7号
代理机构 ：
东莞市明诺知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈思远
优先权 ：
CN202021243353.1
主分类号 ：
C23C14/22
IPC分类号 ：
C23C14/22 C23C14/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
法律状态
2021-04-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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