复合MOS管封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种复合MOS管封装结构，包括封装在一个模组内的场效应管芯片，第二三极管芯片和第三三极管芯片，场效应管芯片的栅极和第二三极管发射极和第三三极管的基极、发射极连接，场效应管的源极与第二三极管的集电极连接并引出至少一个源极管脚，第二二极管的基极和第三三极管的集电极连接引出栅极管脚，金属底板作为漏极管脚与场效应管的漏极连接。
基本信息
专利标题 ：
复合MOS管封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021255134.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-30
授权号 ：
CN212676258U
授权日 ：
2021-03-09
发明人 ：
罗泽伟谢晓东林旭帆孙林弟
申请人 ：
浙江明德微电子股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市经济开发区龙山软件园
代理机构 ：
杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
董世博
优先权 ：
CN202021255134.5
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07 H01L23/60
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2021-03-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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