一种柔性类氧化硅薄膜生长装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种柔性类氧化硅薄膜生长装置,包括反应腔体和与反应腔体连接的气路系统、控制系统、真空系统和尾气处理系统;反应腔体内部悬空水平设置射频电极,射频电极连接射频电源的正极,反应腔体连接射频电源的负极;射频电极下方设置气体混匀器,反应腔体的顶盖内侧固定用于沉积薄膜的衬底,气体混匀器连接气路系统,反应腔体上开设气体出口一连接真空系统;气路系统包括六甲基硅氧烷储罐、氮气储罐、氧气储罐、和四氟化碳储罐,每个储罐分别通过分支管路连接反应腔体前端的主管路,主管路连接气体混匀器。本实用新型所公开的装置可以在室温下制备柔性的类氧化硅薄膜,具有很好的封装性能,可作为很好的柔性绝缘介质材料使用。
基本信息
专利标题 :
一种柔性类氧化硅薄膜生长装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021309048.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-07-06
授权号 :
CN212404273U
授权日 :
2021-01-26
发明人 :
张宇韩琳
申请人 :
山东大学
申请人地址 :
山东省青岛市即墨区滨海路72号
代理机构 :
青岛华慧泽专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘娜
优先权 :
CN202021309048.8
主分类号 :
C23C16/40
IPC分类号 :
C23C16/40 C23C16/455 C23C16/505
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体,例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/40
氧化物
法律状态
2021-01-26 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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