一种提高区熔硅单晶熔区热稳定的导流筒
授权
摘要
本实用新型提供了一种提高区熔硅单晶熔区热稳定的导流筒，包括导流筒直壁部、导流筒斜壁部，所述导流洞斜壁部底部与所述导流筒的一端固定连接，所述导流筒斜壁部远离所述导流筒直壁部的一端开有用于对导流管内气体进行分流的分流槽，所述导流筒斜壁部与所述导流筒直壁部相连的一端外缘与所述导流筒端部的外缘吻合，所述导流筒斜壁部远离所述所述导流筒直壁部的一端截面面积小于所述导流筒斜壁部与所述导流筒直壁部相连的一端的截面面积。本实用新型所述的一种提高区熔硅单晶熔区热稳定的导流筒解决了由于拉制硅单晶时硅单晶由于温度梯度大容易炸裂的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种提高区熔硅单晶熔区热稳定的导流筒
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021311465.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-07
授权号 ：
CN213327922U
授权日 ：
2021-06-01
发明人 ：
李伟凡王遵义孙健王彦君
申请人 ：
中环领先半导体材料有限公司;天津中环领先材料技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道
代理机构 ：
天津滨海科纬知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛萌萌
优先权 ：
CN202021311465.6
主分类号 ：
C30B13/00
IPC分类号 ：
C30B13/00 C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B13/00
区域熔融法单晶生长；区域熔融法精炼
法律状态
2021-06-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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