一种拉制六英寸区熔硅单晶的方法及使用的热屏
公开
摘要
本发明涉及一种拉制六英寸区熔硅单晶的方法及使用的热屏。在区熔单晶炉的中炉室内加热线圈的下方40mm处设置热屏，热屏罩的上沿直径为90mm，下沿直径为215mm，高度为40mm，冷凝管路中冷却水的压力为3.2bar；当进行扩肩、转肩、等径、收尾工序时，硅单晶随着下轴向下移动，进入到热屏区域内，热屏罩反射的热量作用在单晶的下部，避免温度梯度过大或过小而发生单晶炸裂或回熔导致成晶失败。
基本信息
专利标题 ：
一种拉制六英寸区熔硅单晶的方法及使用的热屏
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574940A
申请号 ：
CN202210164175.0
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李明佳李聪张瀚文冯旭郑万超刘洪张伟才
申请人 ：
中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请人地址 ：
天津市河西区洞庭路26号
代理机构 ：
天津中环专利商标代理有限公司
代理人 ：
李美英
优先权 ：
CN202210164175.0
主分类号 ：
C30B13/00
IPC分类号 ：
C30B13/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B13/00
区域熔融法单晶生长；区域熔融法精炼
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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