一种提高区熔单晶均匀性的气掺线圈
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型提供了一种提高区熔单晶均匀性的气掺线圈,包括带有线圈眼和以线圈眼为中心的十字切缝的线圈主体,其中一个切缝为长切缝,长切缝延伸至线圈主体外圆边沿并位于线圈主体的两个线圈腿中间,还包括以线圈眼为中心设置于线圈主体内的圆弧形的掺杂气路,掺杂气路位于十字切缝的三个短切缝的外侧,掺杂气路的圆弧形的两个端点对称的位于长切缝的两侧且不与长切缝连接;掺杂气路上等间距设有多个气孔;掺杂气路与设于线圈主体内的进气气路连接。本实用新型所述的气掺线圈在线圈主体上直接开设掺杂气路,不单独设计气路,掺杂气路上等间距设有多个气孔,可实现均匀出气,保证了掺杂效果的良好,提高了气掺单晶的均匀性。

基本信息
专利标题 :
一种提高区熔单晶均匀性的气掺线圈
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921315073.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-08-14
授权号 :
CN210826435U
授权日 :
2020-06-23
发明人 :
刘凯郝大维万静王遵义孙健谭永麟孙晨光王彦君
申请人 :
天津中环领先材料技术有限公司
申请人地址 :
天津市滨海新区高新区华苑产业区(环外)海泰东路12号内
代理机构 :
天津滨海科纬知识产权代理有限公司
代理人 :
戴文仪
优先权 :
CN201921315073.4
主分类号 :
C30B13/20
IPC分类号 :
C30B13/20  C30B13/12  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B13/00
区域熔融法单晶生长;区域熔融法精炼
C30B13/16
熔融区的加热
C30B13/20
感应法,例如热线式法
法律状态
2022-05-20 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C30B 13/20
登记生效日 : 20220509
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 天津中环领先材料技术有限公司
变更后权利人 : 天津中环领先材料技术有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区(环外)海泰东路12号内
变更后权利人 : 300384 天津市滨海新区高新区华苑产业园区(环外)海泰东路12号
变更事项 : 专利权人
变更后权利人 : 中环领先半导体材料有限公司
2020-06-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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