一种双路共漏MOSFET芯片封装结构
授权
摘要
本申请实施例公开了一种双路共漏MOSFET芯片封装结构，包括：正面设置至少两个源极和两个栅极的双路共漏MOSFET芯片本体，芯片本体上表面除去金属柱对应位置都设置有第一保护层，芯片本体左右侧面设置有第一保护层，设置有第一保护层的芯片本体设置在导电层上方，在导电层底面及左右侧面的第一保护层外围设置有第二保护层，本申请提供的实施例对MOSFET芯片本体进行塑封保护，可以防止晶圆裂片或损坏。
基本信息
专利标题 ：
一种双路共漏MOSFET芯片封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021334387.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-08
授权号 ：
CN212434601U
授权日 ：
2021-01-29
发明人 ：
诸舜杰岳瑞芳董建新钟添宾
申请人 ：
上海韦尔半导体股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区龙东大道3000号张江集电港4号楼7楼
代理机构 ：
深圳睿臻知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张海燕
优先权 ：
CN202021334387.1
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/367 H01L23/373 H01L23/492 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2021-01-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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