晶圆处理装置
授权
摘要
该实用新型涉及一种晶圆处理装置，包括：壳体；背板，设置于所述壳体下表面，表面设置有多个通孔；薄膜，包裹所述背板，用于与待处理的晶圆相接触，且所述薄膜可根据通入所述壳体内的第一气体的变化而发生形变；薄膜夹，设置于所述薄膜内，用于将所述薄膜安装至所述壳体内，且所述薄膜夹与所述背板相接触，所述薄膜夹在背板上的投影面积至少大于预设值；气囊，设置于所述壳体内，并位于所述薄膜外部，位于所述薄膜夹上方，用于产生形变以控制所述薄膜夹给所述背板施力。
基本信息
专利标题 ：
晶圆处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021396888.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-15
授权号 ：
CN212230399U
授权日 ：
2020-12-25
发明人 ：
施荣荣汪海亮刘路
申请人 ：
上海新傲科技股份有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区普惠路200号
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN202021396888.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-12-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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