一种等离子体化学气相沉积工艺用基座
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摘要
本实用新型公开了一种等离子体化学气相沉积工艺用基座，包括有金属基座、环形台阶和多个绝缘条块，每个绝缘条块的一端均具有呈台阶状的上搭接部，每个绝缘条块的另一端均具有呈台阶状的下搭接部，相邻二个绝缘条块的上搭接部与下搭接部分别搭接在一起；环形台阶的台阶面上均分别设有定位孔和位于定位孔两侧的导向孔，每个绝缘条块的底部均分别连接有对应插入定位孔和导向孔中的定位销和导向销。本实用新型在金属基座的四周设置环形台阶，并在环形台阶上设置首尾相搭接的多个绝缘条块，在实施等离子体化学气相沉积工艺过程中能够防止电弧的产生，且能够适应金属基座正常的受热膨胀，保证了等离子体化学气相沉积工艺的正常进行，保障了安全生产。
基本信息
专利标题 ：
一种等离子体化学气相沉积工艺用基座
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021401925.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-16
授权号 ：
CN212770956U
授权日 ：
2021-03-23
发明人 ：
蔡广云车午秉余波张乐乐
申请人 ：
合肥微睿光电科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市新站区九顶山路以东、珠城路以南
代理机构 ：
合肥超通知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
余红
优先权 ：
CN202021401925.4
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50 C23C16/458
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
2021-03-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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