一种混色的外延结构
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摘要
一种混色的外延结构，该结构包括依次生长的基层、缓冲层、第一发光层、超晶格结构的过渡层和第二发光层；其中所述过渡层包括循环堆叠的GaN层、InxGa(1‑x)N及AlyInzGa(1‑y‑z)N层，GaN层的厚度随着循环堆叠的周期数增大而逐渐增大，InxGa(1‑x)N层和AlyInzGa(1‑y‑z)N层的厚度随着循环堆叠的周期数增大而逐渐减小。区别于现有技术，上述技术方案通过设置超晶格层中循环堆叠的InxGa(1‑x)N层和AlyInzGa(1‑y‑z)N层的厚度，增强电子迁移率，最终实现增强电流的技术效果。
基本信息
专利标题 ：
一种混色的外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021454421.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-22
授权号 ：
CN212874525U
授权日 ：
2021-04-02
发明人 ：
刘恒山吴永胜解向荣曹鑫唐允清
申请人 ：
福建兆元光电有限公司
申请人地址 ：
福建省福州市闽侯县南屿镇生物医药和机电产业园区（现住所：闽侯县南屿镇新联村6号）
代理机构 ：
福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄以琳
优先权 ：
CN202021454421.9
主分类号 ：
H01L33/08
IPC分类号 ：
H01L33/08 H01L33/00 H01L33/06 H01L33/32
法律状态
2021-04-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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