三层整流桥堆框架
授权
摘要
本申请公开了一种三层整流桥堆框架，包括从下至上依次叠放的下层框架、中层框架和上层框架，采用三层框架的结构设计，使得在生产时将下层框架放好后，在下次框架的每个下层焊盘上均放置锡膏和芯片后，将中层框架放置上去使中层焊盘与芯片位置一一对应，然后再在每个中层焊盘上放置锡膏和芯片，最后将上层框架放置好，使上层焊盘与芯片位置一一对应，之后再整体的一次焊接，或者在完成中层框架和上层框架的时候均焊接一次，都可以完成桥堆的焊接工作，而由于每一层都是整体式的，因此操作较为简单，且容易进行对位工作，不会出现每个桥堆都需要进行对位的情况。
基本信息
专利标题 ：
三层整流桥堆框架
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021477739.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-23
授权号 ：
CN212322990U
授权日 ：
2021-01-08
发明人 ：
谢晓东孙林弟林旭帆金东金燕
申请人 ：
浙江明德微电子股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市绍兴经济开发区龙山软件园
代理机构 ：
北京维正专利代理有限公司
代理人 ：
赵保迪
优先权 ：
CN202021477739.9
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H02M7/06
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2021-01-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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