一种水冷热屏用清洁装置及单晶炉
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摘要

本实用新型提供一种水冷热屏用清洁装置及单晶炉,包括充气环路,所述充气环路用于设置在水冷热屏上方,且大小与所述水冷热屏相适应,所述充气环路下方设有气孔,所述气孔与所述水冷热屏相对设置;充气法兰,所述充气法兰与所述充气环路连通,所述充气法兰设有进口,所述进口用于充气;空心柱体,所述空心柱体的一端与所述充气法兰连接,另一端与充气环路连接,用于导入气体并定位所述充气环路的位置。根据本实用新型实施例的水冷热屏用清洁装置,能过在单晶炉中清洁水冷热屏,减少水冷热屏表面附着物,提升水冷热屏对单晶的冷却效果,保证单晶生长过程稳定。此外提高氩气流量及压力,保证吹扫效果。且该装置结构简单,便于生产和制造。

基本信息
专利标题 :
一种水冷热屏用清洁装置及单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021503819.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-07-27
授权号 :
CN213142280U
授权日 :
2021-05-07
发明人 :
何京辉王东张招洋
申请人 :
邢台晶龙电子材料有限公司
申请人地址 :
河北省邢台市开发区南园区兴达大街
代理机构 :
上海华诚知识产权代理有限公司
代理人 :
徐颖聪
优先权 :
CN202021503819.7
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  B08B5/04  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2021-05-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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