一种半导体硅片覆层检测装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体硅片覆层检测装置，包括壳体，所述壳体侧壁固定连接有电机，所述电机的输出轴固定连接有往复丝杠，所述往复丝杠侧壁螺纹连接有移动块，所述移动块上壁固定连接有放置板，壳体内壁固定连接有导向杆，所述导向杆贯穿移动块侧壁，所述壳体两侧壁共同固定连接有固定板，所述固定板内顶部设有覆层检测头，所述放置板上设有夹紧机构。本实用新型能够吸附不同尺寸的半导体硅片，进而扩大了该装置的适用范围，还能够防止半导体硅片在移动时发生偏移，从而保证了该装置对半导体硅片覆层检测的结果的准确度。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体硅片覆层检测装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021654624.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-11
授权号 ：
CN213517028U
授权日 ：
2021-06-22
发明人 ：
王宁
申请人 ：
西安市多极电磁技术有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区唐延路以东科技五路什字东北角CLASS国际公馆第1幢2单元5层20510号房
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021654624.2
主分类号 ：
G01N33/00
IPC分类号 ：
G01N33/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N33/00
利用不包括在G01N1/00至G01N31/00组中的特殊方法来研究或分析材料
法律状态
2021-06-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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