一种新型热处理退火炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种新型热处理退火炉，包括方形退火炉，所述方形退火炉一侧内壁开设有功能槽，所述功能槽的内壁靠近开口处固定套设有密封板，所述密封板的板身呈等间状开设有多个滑动孔，所述方形退火炉另一侧的内壁呈等间状开设有多个滑动槽，多个所述滑动槽的内端均活动设置有一号活动块，多个所述一号活动块远离滑动槽的一端均固定设置有退火板，多个所述退火板远离一号活动块的一端均固定设置有二号活动块，多个所述二号活动块远离退火板的一端贯穿滑动孔通至功能槽的内端，多个所述二号活动块远离退火板的一端中心处开设有固定槽。本实用新型公开了一种新型热处理退火炉，该新型热处理退火炉操作方便，省时省力。
基本信息
专利标题 ：
一种新型热处理退火炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021751728.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-20
授权号 ：
CN212485280U
授权日 ：
2021-02-05
发明人 ：
司佳柱毕玲玲司闻
申请人 ：
厦门福鑫特工贸有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区集贤路1678-2号厂房
代理机构 ：
北京壹川鸣知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
徐军科
优先权 ：
CN202021751728.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-02-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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