半导体晶圆切割成型用铝箔保护膜
授权
摘要
本实用新型涉及应用于半导体芯片晶圆制造加工技术领域，且公开了半导体晶圆切割成型用铝箔保护膜，包括非硅离型剂层、软态铝箔和丙烯酸胶黏层，所述软态铝箔设置于所述丙烯酸胶黏层的上表面，所述非硅离型剂层设置于所述软态铝箔的上表面。本实用新型既能起到良好的保护固定硅晶片的效果，胶黏剂也不会对硅晶片造成污染，相较于现行广泛大量使用的PVC聚苯乙烯基材材质，对环境更友好，基材可被回收重复利用，大大减少了对地球环境的污染。
基本信息
专利标题 ：
半导体晶圆切割成型用铝箔保护膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021907779.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-04
授权号 ：
CN213295227U
授权日 ：
2021-05-28
发明人 ：
方斌
申请人 ：
苏州萨必斯电气有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区鹿山路25号
代理机构 ：
苏州高专知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
孙晓宇
优先权 ：
CN202021907779.2
主分类号 ：
C09J7/28
IPC分类号 ：
C09J7/28 C09J7/20 H01L21/683
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09J
黏合剂；一般非机械方面的黏合方法；其他类目不包括的黏合方法；黏合剂材料的应用
C09J7/00
薄膜或薄片状的粘合剂
C09J7/20
以它们的载体为特征
C09J7/28
金属片
法律状态
2021-05-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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