晶圆镀钯装置
授权
摘要
本实用新型属于半导体芯片加工设备领域，具体涉及一种晶圆镀钯装置，解决了现有技术中晶圆化镀不均匀的缺陷，提供一种晶圆镀钯装置，包括镀液槽，传感器，纯水注入装置，镀液槽内排放管道，热交换器，加热机，压缩空气管道，循环泵，控制阀，所述镀液槽与镀液槽内排放管道联通，镀液槽内排放管道上设有换热分支管道和循环排放分支管道，换热分支管道与热交换器联通，循环泵位于换热分支管道上；管道上设有控制阀；所述加热机与热交换器通过管道连接。本装置具有循环过滤功能、液位检测功能、自动补水功能等功能，用此装置做出的产品有良好的质量。
基本信息
专利标题 ：
晶圆镀钯装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021946698.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-08
授权号 ：
CN212412019U
授权日 ：
2021-01-26
发明人 ：
李勇刚周浩刘凯张萍李玉萍
申请人 ：
河北广创电子科技有限公司
申请人地址 ：
河北省廊坊市三河市燕郊开发区迎宾北路西侧、新禾公司、沃达公司北侧1#综合楼
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021946698.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-01-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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