本实用新型涉及一种与芯片热膨胀相匹配的覆铜陶瓷基板，包括位于中间的至少两层陶瓷层、贴敷在陶瓷层上下表面的焊料结合层、以及设置在焊料层上的铜层。其中，相邻两层陶瓷层之间通过连接层连接，铜层与陶瓷层的铜瓷厚度比为0.10～0.20，焊料结合层包括贴敷陶瓷层的反应层以及贴敷铜层的应力缓冲层。本实用新型一方面将陶瓷层被设置为至少一层，相邻两层陶瓷层间通过增设的连接层连接，解决了当前单层陶瓷片过厚，导致的导热性能差、残余应力大的问题；另一方面，焊料结合层包括贴敷陶瓷层的反应层以及贴敷铜层的应力缓冲层，可有效释放覆铜陶瓷基板在冷热循环条件下产生的热应力，进而提高半导体器件冷热循环可靠性。