一种硅芯棒及用于多晶硅生长的硅芯结构
授权
摘要

本实用新型公开了一种硅芯棒及用于多晶硅生长的硅芯结构,包括两个竖硅芯棒和横硅芯棒,所述横硅芯棒的下表面左右两侧均设有开槽一,两个所述开槽一相背对的表面上部连接有卡板,两个所述竖硅芯棒相对的表面上均设有与所述卡板配合使用的卡板槽,所述开槽二与所述卡板槽贯通设置,两个所述开槽二相对的表面上设有卡块,所述横硅芯棒的上表面左右两侧均设有配合所述卡块使用的卡块槽,可以使硅芯结构的连接十分方便,而且无需使用钼丝绑接,就不必将多晶硅包裹着的钼丝去除,方便工作人员的处理,而且使硅芯结构之间的接触十分稳定,有利于减少衔接处的电阻,使反应更好的进行,既避免局部过热的情况发生,又能有效防止倒棒。

基本信息
专利标题 :
一种硅芯棒及用于多晶硅生长的硅芯结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022040706.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-17
授权号 :
CN211897168U
授权日 :
2020-11-10
发明人 :
金胜薛建云施红亮邱风
申请人 :
新疆登博新能源有限公司
申请人地址 :
新疆维吾尔自治区昌吉回族自治州昌吉市高新技术产业开发区经五路6号新疆索科斯新材料公司院内(昌高区1丘24栋)
代理机构 :
北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
孟阿妮
优先权 :
CN202022040706.4
主分类号 :
C30B28/14
IPC分类号 :
C30B28/14  C30B29/06  C01B33/035  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B28/00
制备具有一定结构的均匀多晶材料
C30B28/12
由气态直接制备
C30B28/14
用反应气体的化学反应法
法律状态
2020-11-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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