一种用于VB法InP单晶生长的单晶炉
授权
摘要
本实用新型涉及半导体材料制备技术领域，公开了一种用于VB法InP单晶生长的单晶炉，包括单晶炉架和压力容器，压力容器安装在单晶炉架上，压力容器为两端敞开的中空结构，压力容器的一端可拆卸的密封安装有第一法兰，压力容器的另一端密封安装有第二法兰，第一法兰远离压力容器的一侧设置有第一压板，第二法兰远离压力容器的一侧设置有第二压板，第一压板与第二压板之间设置有紧固机构；压力容器的内壁上固定连接有U型隔板，U型隔板将压力容器的内部分隔为加热腔、埚降腔和动力腔。本实用新型解决目前的单晶炉各部分材料都是导热性能较差的保温材料制作，控温与实际温度存在滞后性，对控温精度要求特别高，造成成品率较低的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种用于VB法InP单晶生长的单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022137956.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-25
授权号 ：
CN213925130U
授权日 ：
2021-08-10
发明人 ：
罗福敏胡昌勇李勇
申请人 ：
威科赛乐微电子股份有限公司
申请人地址 ：
重庆市万州区万州经开区高峰园B02
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
张晨
优先权 ：
CN202022137956.X
主分类号 ：
C30B29/40
IPC分类号 ：
C30B29/40 C30B11/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2021-08-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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