静电卡盘结构和蚀刻设备
授权
摘要
本实用新型涉及一种静电卡盘结构和蚀刻设备，该静电卡盘结构包括：静电卡盘，其中，静电卡盘的放置面被配置为允许放置至少两种尺寸的晶圆，静电卡盘的放置面上设置有至少两个第一电极和至少两个第二电极，第一电极被配置为允许与电源的一端连接，第二电极被配置为允许与电源的另一端连接。通过本实用新型，实现了单片单腔设备可以生产多种尺寸晶圆的效果，有效解决相关技术中存在的更换时间长，产能效率低的问题。
基本信息
专利标题 ：
静电卡盘结构和蚀刻设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022374618.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-22
授权号 ：
CN213124406U
授权日 ：
2021-05-04
发明人 ：
林帅苏财钰张涛张彬彬苟先华
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
赵静
优先权 ：
CN202022374618.8
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2021-05-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
