半导体光放大器阵列元件
实质审查的生效
摘要
半导体光放大器阵列元件(100)具备基板(100a)、以及形成于基板(100a)上且分别具有活性区域的多个半导体光放大器，所述多个半导体光放大器分别具有的两个光输入输出端口(111a、111b、121a、121b)均与所述活性区域的每一个光学连接，且均设置于半导体光放大器阵列元件(100)的相同的端面(101)，所述多个半导体光放大器包括：活性区域(110ca1、110cb1)的长度为第一长度的第一半导体光放大器(110)、以及活性区域(120ca1、120cb1)的长度与第一长度不同的第二长度的第二半导体光放大器(120)。
基本信息
专利标题 ：
半导体光放大器阵列元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114342193A
申请号 ：
CN202080055291.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-08-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
清田和明吉田匡广
申请人 ：
古河电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本国东京都
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
张远
优先权 ：
CN202080055291.8
主分类号 ：
H01S5/343
IPC分类号 ：
H01S5/343 H01S5/22
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/343
申请日 : 20200803
申请日 : 20200803
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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