半导体试样的检查装置及检查方法
实质审查的生效
摘要
本发明的检查装置(1)具备：参考信号输出部(24)、去除处理部(25)、增益设定部(26)、及电气特性测定部(28)。参考信号输出部(24)与半导体试样(S)电并联地连接于外部电源装置(2)，且输出与外部电源装置(2)的输出相应的参考信号。去除处理部(25)根据自半导体试样(S)输出的电流信号，基于参考信号而进行将由外部电源装置(2)的输出所产生的噪声成分去除的去除处理，且输出处理信号。增益设定部(26)基于处理信号，设定参考信号输出部的增益的值。电气特性测定部(28)基于已进行去除处理的处理信号，测定半导体试样(S)的电气特性；该去除处理基于来自经增益设定部设定增益的值的参考信号输出部的参考信号而进行。
基本信息
专利标题 ：
半导体试样的检查装置及检查方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114364995A
申请号 ：
CN202080063949.X
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2020-08-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山田俊毅
申请人 ：
浜松光子学株式会社
申请人地址 ：
日本静冈县
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨琦
优先权 ：
CN202080063949.X
主分类号 ：
G01R31/302
IPC分类号 ：
G01R31/302
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/302
••无触点测试
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/302
申请日 : 20200827
申请日 : 20200827
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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