钌的半导体用处理液及其制造方法
公开
摘要
本发明提供一种钌的半导体用处理液，其含有次溴酸离子。此外，提供一种钌的半导体用处理液，其至少添加有含溴的化合物、氧化剂、碱化合物以及水，进行混合而成，所述含溴的化合物相对于合计质量的添加量按溴元素量计为0.01质量％以上且小于2质量％，所述氧化剂的添加量为0.1质量％以上且10质量％以下，并且pH为8以上且14以下。而且，提供一种钌的半导体用处理液的制造方法，其包括：使含有次氯酸化合物和碱化合物的溶液与含溴的化合物混合的工序。
基本信息
专利标题 ：
钌的半导体用处理液及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114466951A
申请号 ：
CN202080068032.9
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2020-07-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
佐藤伴光吉川由树下田享史根岸贵幸
申请人 ：
株式会社德山
申请人地址 ：
日本山口县周南市
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
吕琳
优先权 ：
CN202080068032.9
主分类号 ：
C23F1/40
IPC分类号 ：
C23F1/40 H01L21/3213
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23F
非机械方法去除表面上的金属材料；金属材料的缓蚀；一般防积垢；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法的多步法金属材料表面处理
C23F1/00
金属材料的化学法蚀刻
C23F1/10
蚀刻用组合物
C23F1/14
含水组合物
C23F1/32
碱性组合物
C23F1/40
蚀刻其他金属材料用的
法律状态
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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