低形成电压非易失性存储器(NVM)
公开
摘要
通过在互连介电材料层上形成一对牺牲导电焊盘来提供低形成电压NVM设备，互连介电材料层嵌入一对第二导电结构和图案化材料堆叠。所述牺牲导电焊盘中的一个牺牲导电焊盘具有第一区域并接触所述第二导电结构中的一个的表面，所述第二导电结构中的一个的表面接触下面的第一导电结构的表面，并且所述牺牲导电焊盘中的另一个具有不同于所述第一区域的第二区域并接触所述第二导电结构中的另一个的表面，所述第二导电结构中的另一个的表面接触所述图案化材料堆叠的顶部电极的表面。执行等离子体处理以诱导天线效应且将图案化材料堆叠的介电切换材料转换成导电细丝。在等离子体处理之后，去除该对牺牲导电焊盘。
基本信息
专利标题 ：
低形成电压非易失性存储器(NVM)
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114600191A
申请号 ：
CN202080074511.1
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金永硕玉仁祚A.雷兹尼克徐顺天
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约阿芒克
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
王蕊瑞
优先权 ：
CN202080074511.1
主分类号 ：
G11C13/00
IPC分类号 ：
G11C13/00 H01L45/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C13/00
特征在于使用不包括在G11C11/00，G11C23/00或G11C25/00各组内的存储元件的数字存储器
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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