基于V坑调控的橙黄光LED器件及其制备方法
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摘要
本公开提供一种基于V坑调控的橙黄光LED器件及其制备方法，该制备方法包括：在衬底上制备GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上生长非故意掺杂氮化镓层和n型掺杂GaN层；在n型掺杂GaN层上生长低铟组分的InGaN预应变层；在所述InGaN预应变层上生长高铟组分的InGaN/GaN多量子阱材料层；在InGaN/GaN多量子阱材料层上制备V坑结构，形成具有V坑结构阵列的InGaN/GaN多量子阱层；在具有V坑结构阵列的InGaN/GaN多量子阱层上制备p型掺杂GaN层；在p型GaN材料表面生长一层氧化铟锡透明导电膜；以及分别在ITO透明导电膜和n型GaN层的台面上溅射金属形成欧姆接触的电极，完成基于V坑调控的橙黄光LED器件的制备。
基本信息
专利标题 ：
基于V坑调控的橙黄光LED器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112786743A
申请号 ：
CN202110107449.8
公开（公告）日 ：
2021-05-11
申请日 ：
2021-01-26
授权号 ：
CN112786743B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
姚威振汪连山杨少延刘祥林王占国
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
刘歌
优先权 ：
CN202110107449.8
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/06 H01L33/12 H01L33/24
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2021-05-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20210126
申请日 : 20210126
2021-05-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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