半导体装置、制造半导体装置的方法以及检查错误的方法

实质审查的生效

摘要

本申请涉及半导体装置、制造半导体装置的方法以及检查错误的方法。在检查错误的方法中，可以形成下部布线结构。主虚设图案和测试虚设图案可以形成在下部布线结构上。主虚设图案可以包括通孔图案和宽度比通孔图案的宽度更宽的布线图案。测试虚设图案可以与主虚设图案间隔开不小于临界距离。测试虚设图案可以具有与通孔图案的宽度基本相同的宽度。测试虚设图案可以具有与主虚设图案的高度基本相同的高度。然后可以测试测试虚设图案以基于测试虚设图案的错误来预测主虚设图案的错误。

基本信息

专利标题：

半导体装置、制造半导体装置的方法以及检查错误的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114388475A

申请号：

CN202110480740.X

公开（公告）日：

2022-04-22

申请日：

2021-04-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

金在泽郑蕙英

申请人：

爱思开海力士有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

刘久亮

优先权：

CN202110480740.X

主分类号：

H01L23/528

IPC分类号：

H01L23/528 H01L23/544 H01L21/66 H01L21/768 G01R31/26

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/52

用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置

H01L23/522

包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的

H01L23/528

互连结构的布置

法律状态

2022-05-10 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 23/528
申请日 : 20210430

2022-04-22 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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