紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统以及光刻机
授权
摘要

本发明公开了一种紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统以及光刻机,紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统包括:第一镜头组件、光阑以及第二镜头组件,第一镜头组件的焦距为f1,第二镜头组件的焦距为f2,紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统的焦距为f,紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统满足关系式:0.05≤f1/f≤0.09,0.21≤f2/f≤0.41;第一透镜到第十二透镜沿光轴从物侧到像侧依次设置,且第一透镜到第十二透镜均为单透镜。根据本发明的紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统,可采用更宽波段的光源,并以较少数量的透镜,实现了高成像质量、大焦深和高透过率设计,不采用胶合透镜,使得光学成像系统更稳定性,不仅降低了光刻成本,而且光刻设备具有更高的运行稳定性。

基本信息
专利标题 :
紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统以及光刻机
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113219793A
申请号 :
CN202110505623.4
公开(公告)日 :
2021-08-06
申请日 :
2021-05-10
授权号 :
CN113219793B
授权日 :
2022-06-14
发明人 :
李鹏飞杨宇航蔡潍戚蓉蓉
申请人 :
合肥芯碁微电子装备股份有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F3楼11层
代理机构 :
北京景闻知识产权代理有限公司
代理人 :
贾玉姣
优先权 :
CN202110505623.4
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20  G02B13/00  G02B13/22  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-06-14 :
授权
2021-08-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20210510
2021-08-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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