EUV光刻掩膜版
授权
摘要
本申请提供一种EUV光刻掩膜版，包括基板；位于所述基板上方的反射层；位于所述反射层上方的微晶玻璃层；位于所述微晶玻璃层上方的吸收体层；其中，所述吸收体层用于定义所述掩膜版的掩膜图案。通过在反射层上方设置微晶玻璃层，在不增加基底的热膨胀系数的基础上，可以保护反射层，避免在清洗时反射层与清洗液中的水分子或者C‑H化合物接触、反应形成碳膜，避免反射层的反射率受到影响，或者可以增强吸收体层与其下方的膜层之间的附着力，提升EUV光刻掩膜版的稳定性，从而提升器件图案化工艺的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
EUV光刻掩膜版
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122587469.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-26
授权号 ：
CN216434662U
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
王光荣李建新巫奉伦夏忠平
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
北京聿宏知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈超德
优先权 ：
CN202122587469.8
主分类号 ：
G03F1/38
IPC分类号 ：
G03F1/38 G03F1/48
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/38
具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
法律状态
2022-05-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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