具有BS-PDN结构的集成电路芯片
公开
摘要
一种集成电路芯片包括：衬底，具有有源表面和与有源表面相反的背表面；前道工艺(FEOL)结构，设置在衬底的有源表面上；第一后道工艺(BEOL)结构，设置在FEOL结构上；中间连接层，设置在衬底的背表面下方，所述中间连接层包括电荷存储器和围绕电荷存储器设置的金属柱；以及再分布结构层，设置在中间连接层下方。
基本信息
专利标题 ：
具有BS-PDN结构的集成电路芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446922A
申请号 ：
CN202110757834.7
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-07-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宋垠锡白洪周吴琼硕李满浩李赫宰
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市立方律师事务所
代理人 ：
李娜
优先权 ：
CN202110757834.7
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L27/092
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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