一种多层结构的集成电路芯片
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种多层结构的集成电路芯片，包括：多个芯片层和多个绝缘层，所述芯片层与所述绝缘层交替堆叠；每个芯片层内设置散热子层，每个芯片层在预设位置设置一个芯片，在芯片的周围设置散热子层，用于该层芯片的散热；多个芯片层通过电路连接系统形成引脚，并通过外壳将多个芯片层封装成多层结构的芯片，所述多层结构的芯片通过引脚与电路板上的焊点连接。解决多层结构的集成电路芯片散热的问题，保障高散热率，提升集成电路芯片的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种多层结构的集成电路芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429937A
申请号 ：
CN202210106227.9
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘蓉
申请人 ：
深圳卓锐思创科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区民治街道民康路112号1970科技小镇5栋5楼509
代理机构 ：
北京冠和权律师事务所
代理人 ：
陈彦朝
优先权 ：
CN202210106227.9
主分类号 ：
H01L23/373
IPC分类号 ：
H01L23/373 H01L23/367 H01L23/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/373
为便于冷却的器件材料选择
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/373
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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